中圖儀器NS200國產臺階儀采用接觸式表面形貌測量，對測量表面反光特性、材料種類、材料硬度都沒有特別要求，樣品適應面廣，數(shù)據復現(xiàn)性高、測量穩(wěn)定、便捷、高效，是微觀表面測量中使用廣泛的微納樣品測量手段。

在半導體、光伏、LED、MEMS器件、材料等領域，表面臺階高度、膜厚的準確測量具有十分重要的價值，尤其是臺階高度是一個重要的參數(shù)，對各種薄膜臺階參數(shù)的精確、快速測定和控制，是保證材料質量、提高生產效率的重要手段。NS200國產臺階儀采用亞埃級分辨率的位移傳感器、超低噪聲信號采集、超精細的運動控制、標定算法等核心技術，具有優(yōu)良的使用性能。用于樣品表面從微米到納米尺度的輪廓測量，可以進行臺階高度、膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波紋和表面粗糙度等的測量。

產品功能

1、臺階高度

能夠測量幾個納米到330μm的臺階高度。這使其可以準確測量在蝕刻、濺射、SIMS、沉積、旋涂、CMP等工藝期間沉積或去除的材料。

2、紋理：粗糙度和波紋度

測量2D紋理，量化樣品的粗糙度和波紋度。軟件過濾功能將測量值分離為粗糙度和波紋度的部分，并計算諸如均方根（RMS）粗糙度等20余項粗糙度參數(shù)。

3、形狀：翹曲和形狀

可以測量表面的2D形狀或翹曲。這包括對晶圓翹曲的測量，例如在半導體或化合物半導體器件生產過程中，多層沉積層結構中層間不匹配是導致這類翹曲產生的原因。還可以量化包括透鏡在內的結構高度和曲率半徑。

4、應力：薄膜應力

能夠測量在生產中包含多個工藝層的半導體或化合物半導體器件所產生的應力。使用應力卡盤樣品支撐在中性位置精確測量樣品翹曲。然后通過應用Stoney方程，利用諸如薄膜沉積工藝的形狀變化來計算應力。

5、接觸缺陷復檢：缺陷表面形貌

技術參數(shù)

技術測量：探針式表面輪廓測量技術

樣品觀測：光學導航攝像頭：500萬像素高分辨率 彩色攝像機，F(xiàn)oV，1700*1400μm

平臺移動范圍X/Y：電動X/Y（100mm*100mm）（可手動校平）

最大樣品厚度：50mm

載物臺最大晶圓尺寸：150mm（6吋），200mm（8吋）

臺階高度重復性：＜1nm（測量1μm臺階高度，1δ）

垂直分辨力：分辨力＜0.25 ?（量程為13um時）

儀器尺寸: 640*626*534(mm)

儀器總重量：<50kg

典型應用